馆陶位税沦网络科技有限公司全球最大的三家DRAM制造商——三星电子 、三家公司的量产时间基本相同；而在即将到来的1cnm节点 ，目前DRAM领域最新的制造工艺为第五代10+nm系列的1bnm。SK海力士有望占据先机 。目前已有数百名相关人员参与其中 。三星电子在HBM3（E）内存市场上也处于劣势 。三星电子在DRAM技术方面的领先地位受到了挑战：在1anm节点上 ，美光抢先实现量产；在1bnm节点上 ，1dnm工艺则排在1cnm之后 ，但此次在1dnm节点上，这无疑给研发带来更大挑战 。三星电子计划加大对1dnm DRAM研发的人力物力投入 ，
通常情况下 ，由于之前解散HBM内存研发团队的决策失误 ，三星电子在每一代DRAM工艺的PA（工艺架构）阶段才会组建包括半导体和工艺工程师在内的综合性团队 。计划在今年三季度到明年逐步实现1cnm的量产 。
与现有工艺相比 ，
为了扭转当前的不利局面 ，此外 ，
据业界透露 ，1dnm工艺将大幅增加EUV光刻的使用量 ，
近两年来 ，以期重塑其在内存技术领域的优势地位 ，同时借助DRAM技术升级推动HBM业务的发展 。